チャンバー内の堆積物のモニター方法,プラズマ加工方法,ドライクリーニング方法及び半導体製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996116077
Publication number (International publication number)：1997036102
Application date： May. 10, 1996
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】ドライエッチング,プラズマCVD等のプラズマを利用した加工を行う際のプロセス管理及びプロセス制御を改善する。【解決手段】例えばドライエッチング工程において、エッチング副生成物より形成されるチャンバー1の内壁面に付着した堆積物11に含まれる特定原子間の結合を、赤外線を用いて観察する。モニター用光源8で発生した入射赤外線12を堆積物11に照射し、堆積物11を通過した通過赤外線13の吸収スペクトルを赤外線検出器14で検出する。これにより、チャンバー1内の正確な情報を得ることができ、エッチング特性のバラツキやパーティクル発生などによる歩留まり低下を防止できる。また、それぞれの赤外吸収スペクトルの特定の変化量を基準にして、メンテナンス周期の最適化を行なうことにより、装置稼働率を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

チャンバーの一部に、光,X線,電子線を含む電磁波のうち少なくともいずれか1つの電磁波の透過が可能な電磁波用窓を形成しておき、上記チャンバーの外部から上記電磁波用窓を介して上記電磁波を上記チャンバー内に入射させ、上記チャンバー内の堆積物を通過した電磁波をチャンバーの外部に取り出し、取り出された上記電磁波の上記堆積物による吸収を検知することにより、上記堆積物の状態をモニターすることを特徴とするチャンバー内の堆積物のモニター方法。

IPC (9)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , G01J 3/42 , G01N 21/35 , H01L 21/205 , H01L 21/304 341 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (10)：

H01L 21/302 E , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , G01J 3/42 , G01N 21/35 Z , H01L 21/205 , H01L 21/304 341 D , H01L 21/31 C , H05H 1/46 B , H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ドライエッチング方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-288377 Applicant：沖電気工業株式会社
特開平2-224242
特開昭54-160173

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