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J-GLOBAL ID：200903002751354400

窒化化合物半導体発光素子

Inventor： 山口 敦史 ,  木村 明隆 ,  笹岡 千秋
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997315451
Publication number (International publication number)：1999150335
Application date： Nov. 17, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 窒化化合物半導体発光素子において、しきい値電流密度の低いレーザー素子の製造方法を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体層の結晶面(0,0,0,1)を結晶成長工程で形成し、その結晶面を光導波路の端面あるいは共振器ミラー面として用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層の結晶面(0,0,0,1)を結晶成長工程で形成し、その結晶面を光導波路の端面あるいは共振器ミラー面として用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-202479   Applicant：ローム株式会社