低電圧放電形プラズマイオン成膜装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998276359
Publication number (International publication number)：2000065702
Application date： Aug. 25, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】試料表面に有機合成膜,あるいはオスミウム膜を成膜するプラズマイオン成膜装置に於て,放電電圧を下げるとともにプラズマ密度を上げることにより試料損傷が無く成膜速度の早いプラズマイオン成膜装置の提供。【解決手段】負電極2をホローカソード形とし,対向したアノード電極3との間に直流電圧を印加することにより従来の並行電極形ダイオード放電に比べて2分の1以下の電圧で同じ放電電流が得られ,且つ発生したプラズマはカップ状のカソード内に閉じ込められることによりプラズマイオン密度が上昇することを利用し,ホローカソード内に置いた試料S表面に有機合成膜,あるいは金属オスミウム膜を試料のイオン損傷なしに効率よく生成させるプラズマイオン成膜装置を実現する。

Claim (excerpt)：

ダイオード放電プラズマイオン重合成膜装置に於て,負電極をホローカソード形とし,カソード電極内にプラズマを閉じ込めることにより比較的低電圧による放電でプラズマ重合を可能としたプラズマイオン成膜装置。

IPC (5)：

G01N 1/28 , C23C 16/50 , H01J 37/20 , H01J 37/32 , H05H 1/46

FI (6)：

G01N 1/28 N , C23C 16/50 , H01J 37/20 F , H01J 37/32 , H05H 1/46 M , G01N 1/28 F

F-Term (15)：

4K030AA09 , 4K030AA18 , 4K030AA24 , 4K030BA01 , 4K030CA00 , 4K030FA03 , 4K030GA02 , 4K030JA17 , 4K030KA15 , 4K030KA16 , 4K030KA30 , 4K030LA01 , 4K030LA11 , 5C001BB07 , 5C001CC08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特公昭62-055095
薄膜生成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-178398 Applicant：富士電機株式会社

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