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J-GLOBAL ID：200903002773770369

薄膜半導体装置の製造方法

Inventor：
猪野 益充

About 猪野 益充


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996328076
Publication number (International publication number)：1998173188
Application date： Dec. 09, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：
【要約】【課題】レーザビームのエネルギー分布に基づく副ビーム部の照射によって結晶欠陥が生じ、ここにチャネル領域、あるいはLDD領域が形成されることによって生じる不都合を防止した、薄膜半導体装置の製造方法の提供が望まれている。【解決手段】 絶縁基板20の表面に半導体薄膜22を形成する成膜工程と、レーザビームを照射して半導体薄膜22を溶融冷却し、半導体薄膜22を再結晶化するレーザアニール工程と、この半導体薄膜22を活性層として薄膜トランジスタ24を集積形成する加工工程とを備えた薄膜半導体装置の製造方法である。レーザアニール工程は、帯状に形成されたレーザビームのパルスを半導体薄膜22に間欠照射し、かつその照射領域を部分的に重ねながら一定の移動ピッチAで移動する処理工程である。加工工程は、薄膜トランジスタのチャネル領域25を、レーザビームの端部が照射した箇所23を避けて形成する処理工程である。
Claim (excerpt)：
縦方向および横方向に広がる絶縁基板の表面に半導体薄膜を形成する成膜工程と、レーザビームを照射して前記半導体薄膜を溶融しさらにこれを冷却し、該半導体薄膜を再結晶化するレーザアニール工程と、この再結晶化した半導体薄膜をチャネル領域形成のための活性層として薄膜トランジスタを集積形成する加工工程とを備えた薄膜半導体装置の製造方法であって、前記レーザアニール工程は、該絶縁基板の縦方向に沿って帯状に形成されたレーザビームのパルスを該絶縁基板表面の半導体薄膜に間欠照射し、かつその照射領域を部分的に重ねながら絶縁基板に対して一定の移動ピッチで横方向に移動する処理工程であり、前記加工工程は、前記薄膜トランジスタのチャネル領域を、前記レーザビームの端部が照射した箇所を避けて形成する処理工程であることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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