レーザアニーリング方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田澤博昭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994285471
Publication number (International publication number)：1996148423
Application date： Nov. 18, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】均一な結晶性のポリシリコン層を形成できるレーザアニーリング方法を得ることを目的とする。【構成】ビーム整形光学系27,28により、レーザ発振器21から放射されたレーザビームのビーム断面形状を整形して、ビーム断面形状が長方形状であってその長手方向において基板31のアモルファスシリコン膜上の被ポリシリコン化部の縦方向及び横方向のいずれか一方よりも長い長さを有する線状レーザビームを生成する。そして、線状レーザビームを該レーザビームの幅方向に被ポリシリコン化部上を相対的に移動させて照射し、被ポリシリコン化部の全域を照射する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたアモルファスシリコン膜をレーザ照射によりポリシリコン化するレーザアニーリング方法において、レーザ発振器から放射されたレーザビームのビーム断面形状を整形して、ビーム断面形状が長方形状であり、且つその長手方向において前記アモルファスシリコン膜上の被ポリシリコン化部の縦方向及び横方向のいずれか一方の長さよりも長い長さを有する線状レーザビームを生成する線状ビーム生成ステップと、前記線状レーザビームを該レーザビームの幅方向に前記被ポリシリコン化部上を相対的に移動させて照射し、前記被ポリシリコン化部の全域を照射する照射ステップとを含むことを特徴とするレーザアニーリング方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , G02B 5/32 , G02F 1/136 500 , H01L 21/268

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

ドライブ回路TFTの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-342109 Applicant：カシオ計算機株式会社
特開平3-286518
レーザアニール装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-193716 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page