配線基板およびその実装構造

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002019217
Publication number (International publication number)：2002324876
Application date： Jul. 31, 1995
Publication date： Nov. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体素子収納用パッケージなどの配線基板をガラス-エポキシ樹脂等を絶縁体とする外部電気回路基板に対して、強固に且つ長期にわたり安定した接続状態を維持できる高信頼性の配線基板とその実装構造を提供する。【解決手段】少なくとも有機樹脂を含む絶縁体9の表面に配線導体8が被着形成された40〜400°Cの温度範囲における熱膨張係数が120〜160×10-7/°Cの外部電気回路基板B上に、配線基板Aを載置し、配線基板Aの接続パッド3aを配線導体8にロウ材を介して接合することによって実装するにあたり、配線基板における絶縁基板1を、850〜1300°Cの温度で焼成され、40〜400°Cにおける熱膨張係数が60×10-7/°C以上の金属酸化物からなる結晶相が析出し、40〜400°Cの温度範囲における熱膨張係数が80〜180×10-7/°Cのセラミック焼結体によって形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板と、該絶縁基板の下面または側面に外部電気回路基板との接続のために形成された接続パッドと、メタライズ配線層とを具備してなる配線基板において、前記絶縁基板が、850〜1300°Cの温度で焼成されたものであり、40〜400°Cにおける熱膨張係数が60×10-7/°C以上の金属酸化物からなる結晶相が析出し、40〜400°Cの温度範囲における熱膨張係数が80〜180×10-7/°Cのセラミック焼結体からなることを特徴とする配線基板。

IPC (4)：

H01L 23/15 , C04B 35/495 , H05K 1/18 , H05K 3/34 507

FI (4)：

H05K 1/18 J , H05K 3/34 507 C , H01L 23/14 C , C04B 35/00 J

F-Term (41)：

4G030AA02 , 4G030AA03 , 4G030AA04 , 4G030AA07 , 4G030AA08 , 4G030AA09 , 4G030AA10 , 4G030AA17 , 4G030AA32 , 4G030AA35 , 4G030AA36 , 4G030AA37 , 4G030AA41 , 4G030BA12 , 4G030BA21 , 4G030CA01 , 4G030CA08 , 4G030GA03 , 4G030GA04 , 4G030GA08 , 4G030GA14 , 4G030GA15 , 4G030GA17 , 4G030GA20 , 4G030GA24 , 4G030GA27 , 5E319AA03 , 5E319AA07 , 5E319AB06 , 5E319AC02 , 5E319BB05 , 5E319CC33 , 5E319CD04 , 5E319GG03 , 5E319GG11 , 5E336AA04 , 5E336BB15 , 5E336CC34 , 5E336CC58 , 5E336EE03 , 5E336GG06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ランドグリッドアレイパッケージ及びその作製方法、並びに半導体パッケージ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-067406 Applicant：ソニー株式会社, イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
ボールグリッドアレイ型半導体パッケージの構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-191666 Applicant：シチズン時計株式会社
ガラス-セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型圧電部品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-147184 Applicant：関西日本電気株式会社

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