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J-GLOBAL ID：200903002801943940

高周波デバイス

Inventor： 佐藤 敏郎 ,  山沢 清人 ,  佐久間 敏幸 ,  唐澤 弘喜
Applicant, Patent owner： コーア株式会社 ,  佐藤 敏郎 ,  山沢 清人
Agent (1)： 堀田 信太郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002054150
Publication number (International publication number)：2003257739
Application date： Feb. 28, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 従来困難とされてきた高周波数帯(GHz帯)で使用可能な高周波インダクタや高周波トランス、ならびに伝送線路デバイスなどの高周波デバイスを提供する。【解決手段】 強磁性金属膜と反強磁性酸化物薄膜の積層膜を用いてマイクロストリップライン型伝送線路等を構成することで、反強磁性酸化物薄膜の誘電体としての作用を利用できると同時に、強磁性/反強磁性交換結合による大きな一方向磁気異方性の誘導により、強磁性層の強磁性共鳴周波数を著しく高周波化でき、伝送線路の広帯域化に極めて有効な手段を与える。

Claim (excerpt)：

強磁性金属薄膜と反強磁性酸化物薄膜から成る積層膜を有することを特徴とする高周波デバイス。

IPC (4)：

H01F 17/00 ,  H01F 27/00 ,  H01F 27/29 ,  H01P 3/08

FI (4)：

H01F 17/00 B ,  H01P 3/08 ,  H01F 15/00 C ,  H01F 15/10 C

F-Term (10)：

5E070AA05 ,  5E070AB01 ,  5E070BA12 ,  5E070BB01 ,  5E070CB02 ,  5E070CB13 ,  5E070CB14 ,  5E070CB15 ,  5E070EB01 ,  5J014CA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気インピーダンス効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-226233   Applicant：アルプス電気株式会社