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J-GLOBAL ID：200903017609440118

磁気インピーダンス効果素子

Inventor：
中林 亮

About 中林 亮


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000226233
Publication number (International publication number)：2002043648
Application date： Jul. 21, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：
【要約】【課題】 着磁工程を廃止でき、製造工程の簡素化を図ることの可能な磁気インピーダンス効果素子を提供する。【解決手段】 高周波電流を通電して外部磁界によりインピーダンスの変化を発生する磁性薄膜3と、この磁性薄膜3にバイアス磁界を付与するバイアス磁界付与手段とを備え、反強磁性膜5と、この反強磁性膜5との交換結合により磁化方向が固定された被磁化方向固定膜6とを備えてなる積層体8で前記バイアス磁界付与手段を構成した。
Claim (excerpt)：
高周波電流を通電して外部磁界によりインピーダンスの変化を発生する磁性薄膜と、この磁性薄膜にバイアス磁界を付与するバイアス磁界付与手段とを備え、反強磁性膜と、この反強磁性膜との交換結合により磁化方向が固定された被磁化方向固定膜とを備えてなる積層体で前記バイアス磁界付与手段が構成されていることを特徴とする磁気インピーダンス効果素子。
IPC (7)：
H01L 43/00 ,  G01R 33/02 ,  G11B 5/33 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/18 ,  H01F 10/32
FI (7)：
H01L 43/00 ,  G01R 33/02 D ,  G11B 5/33 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/18 ,  H01F 10/32
F-Term (14)：
2G017AA01 ,  2G017AC09 ,  2G017AD51 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AB02 ,  5E049AB10 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA11 ,  5E049BA30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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