半導体メモリーデバイス

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：沢田雅男
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999523546
Publication number (International publication number)：2001506426
Application date： Sep. 11, 1998
Publication date： May. 15, 2001
Summary：

【要約】電流誘起導電性によって、電気的にプログラム可能であるシリコンリッチのアモーファスシリコン合金材料メモリ素子を使用している半導体メモリーデバイスは、その対向する側に入力および出力コンタクト(16、18)の組が設けられている合金材料の層(10)と、ノードとして機能し、かつ三次元のメモリネットワークを形成するために入力および出力コンタクトの間にプログラム可能な導電パスを規定する、層内のディスクリート導電素子(20)とを有している。この導電素子は、合金層の厚み内に一つ以上のレベルで配置させることができ、かつ各レベルで所定の2Dアレイを形成する規定された形状を有することが望ましい。

Claim (excerpt)：

各々が水素化されたシリコンリッチのアモーファスシリコン合金材料を一対のコンタクトの間に有する多数のメモリ素子を有する半導体メモリーデバイスにおいて、前記デバイスが、当該アモーファスシリコン合金材料の対向する各側上の入力および出力コンタクトの組と、各入力コンタクトに対し、前記入力コンタクトと複数の出力コンタクトとの間にプログラム可能な導電パスを規定する前記層内に配置されたディスクリート導電素子とを有していることを特徴とする半導体メモリーデバイス。

IPC (2)：

H01L 27/10 451 , H01L 45/00

FI (2)：

H01L 27/10 451 , H01L 45/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体メモリデバイス及びその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-519642 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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