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J-GLOBAL ID：200903002855646984

シリコン基板とその製造方法

Inventor： 浅井 孝祐 ,  藤川 孝
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996217998
Publication number (International publication number)：1998050714
Application date： Jul. 30, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】 製造が容易で重金属のゲッタリング能が高く、熱的に安定し厚み制御が容易なDZ層を有し、不整合転位の発生による重金属ゲッタリング並びにオートドーピングの抑制効果を有する半導体シリコン基板並びにその製造方法の提供。【解決手段】 ドーパント濃度が大きく異なる層を積層した2層構造又は3層構造を持ったシリコンウェーハとなすことにより、ドーパント濃度が大きく異なる層の界面に不整合転位や応力場が形成され、これらにより重金属をゲッタリングでき、シリコン基板の特性に依存せず、熱的に安定で、パーティクル発生がなく、低コストで効率よく重金属をゲッタリングでき、エピタキシャル成長によりDZ層を形成しているので酸素析出が起こり難く、DZ-IG処理工程を省略し、熱的に安定なDZ層でかつDZ層の厚さの制御が可能なDZ層が形成でき、DZ層として高濃度ドープ層を用いているので、ラッチアップ対策としても非常に有効。

Claim (excerpt)：

シリコン基板において、ドーパント濃度が1×1016atoms/cm3以下のシリコンとドーパント濃度が1×1018atoms/cm3以上であるシリコンとによって形成された界面を少なくとも一つ以上持つ多層膜を基板上に有するシリコン基板。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 21/322 J ,  H01L 21/322 G ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-317022   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭64-066932
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-182927   Applicant：株式会社東芝