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J-GLOBAL ID：200903002864422789

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  大澤 洋一 ,  橘 誠一郎
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007271429
Publication number (International publication number)：2009098509
Application date： Oct. 18, 2007
Publication date： May. 07, 2009
Summary：

【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、下記一般式(1)で示される高分子材料とを含有することを特徴とするレジスト材料。【効果】レジスト膜と液浸露光用のレジスト保護膜とのミキシングを防止することによりパターン形状の劣化を防止する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、下記一般式(1)で示される高分子材料とを含有することを特徴とするレジスト材料。

IPC (5)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/38

FI (6)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/38

F-Term (41)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA02 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA29S ,  4J100BA56P ,  4J100BA59R ,  4J100BB07R ,  4J100BB12P ,  4J100BB12R ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18R ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53Q ,  4J100BC58Q ,  4J100BC69S ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-132081   Applicant：東京応化工業株式会社