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J-GLOBAL ID：200903002872284549
不揮発性固体磁気メモリ、不揮発性固体磁気メモリの保磁力制御方法、及び不揮発性固体磁気メモリの記録方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 興作
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002212000
Publication number (International publication number)：2004055866
Application date： Jul. 22, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：
【課題】省電力で実用に共することのできる不揮発性固体磁気メモリを提供する。【解決手段】基板1上に、バッファ層2と、キャリア誘起強磁性体からなる記録層3と、絶縁層4を介して金属電極層5を順次に形成して、電界効果型トランジスタ構造の不揮発性固体磁気メモリ10を作製する。記録時には、金属電極層5を介して記録層3に所定の電界を、記録層3中の正孔濃度が減少するように印加して、記録層3の保磁力を低減させ、比較的小さい外部磁場を反転磁場として用いて磁化の反転を行ない、記録動作を実行する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
キャリア誘起強磁性体を記録層として具えることを特徴とする、不揮発性固体磁気メモリ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L27/10 447
, H01L43/06 S
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083HA06
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA51
, 5F083PR25
Cited by examiner (3)
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磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-151368
Applicant：株式会社東芝
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磁性半導体を用いた脳型メモリおよび脳型演算装置およびその使用方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-369900
Applicant：科学技術振興事業団
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磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-190697
Applicant：日本放送協会
Article cited by the Patent：
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