磁気記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998151368
Publication number (International publication number)：1999345485
Application date： Jun. 01, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】データ転送線に複数のTMRメモリセルを接続した場合に、大きな読み出し信号を得る。【解決手段】4本のデータ選択線11(選択データ選択線11sel ,非選択データ選択線11unsel )が、それぞれ整流素子12及びメモリセル13(選択メモリセル13sel ,非選択メモリセル13unsel )を介して1本のデータ転送線14に接続されている。なお、整流素子12の整流方向は全て同じである。

Claim (excerpt)：

第1の磁性体と第2の磁性体との間に介在するように非磁性絶縁膜が形成されたメモリセルと、このメモリセルの一端に接続されたデータ選択線と、前記メモリセルの他端に接続されたデータ転送線とを具備し、複数の前記データ選択線が、それぞれ前記メモリセルを介して1本のデータ転送線に接続された磁気記憶装置であって、前記データ選択線と各メモリセルとの間,前記データ転送線と各メモリセルとの間、又は各メモリセル中には、それぞれ整流方向が一致する整流素子が挿入されていることを特徴とする磁気記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-058777 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
磁性薄膜メモリ素子及び磁性薄膜メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-244991 Applicant：ティーディーケイ株式会社

Cited by examiner (2)

磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-058777 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
磁性薄膜メモリ素子及び磁性薄膜メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-244991 Applicant：ティーディーケイ株式会社

Return to Previous Page