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J-GLOBAL ID：200903002928062242
高純度及び超高純度ビスフェノールAの製造のための新規な方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
若林 忠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994518521
Publication number (International publication number)：1996509466
Application date： Feb. 16, 1994
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：
【要約】複数個の、いずれもスクリーン(44及び45)が上に設けられている多孔トレー(42)及びダウンカマー(43)、及び各トレー(42)と組み合わされたスクリーン(44及び45)の上に載せられた触媒性樹脂粒子(46)を含む多段懸濁床反応塔(41)の中で4ないし12モルのフェノールを1モルのアセトンと反応させる、高純度及び超高純度のビスフェノールAの製造方法が提供される。運転に際してフェノールを全て最上部のトレーに装入し、そして必要な全てのアセトンを塔(41)の壁に沿っているいくつかの入口(52)を通して塔(41)へ流入させる。各トレー(42)及びその上の触媒性粒子(46)を通して上昇する不活性ガスが反応液とその中の粒子(46)とを撹拌して懸濁液を形成させ、そしてフェノールとアセトンとの反応の間に生じた水を追い出す。次に塔の中の反応混合物を冷却してビスフェノールAとフェノールとの付加物結晶及び母液を形成させ、この付加物結晶を母液と分離し、そしてフェノールを付加物結晶から除去する。反応混合物からの水の追い出しの結果として、結晶化に先立つ濃縮段階を含む必要なく高純度ビスフェノールAを得ることができる。
Claim (excerpt)：
下記の各段階、すなわち1)触媒の存在のもとに過剰のフェノールとアセトンとを反応させ、2)その反応混合物を冷却してビスフェノールAとフェノールとの付加物の結晶及び母液を形成させ、3)この付加物結晶を母液から分離し、そして4)その付加物結晶からフェノールを除去することを含むビスフェノールAの製造方法において、 段階1)において、過剰のフェノールとアセトンとを、実質的に垂直な、下記を含む多段懸濁反応ストリッピング装置、すなわち i)その中に設けられた複数個の多孔トレーと、 ii)各トレーの上に配置された第1スクリーンと、 iii)それらトレーを互いに連結している複数個のダウンカマーと、 〔それぞれのダウンカマーはその頂部に結合された第2スクリーンを有し、この第2スクリーンと、上記各ダウンカマーの1部と、上記各ダウンカマーの1部と、反応器塔の側壁の1部と、及び第1スクリーンを上に備えた多孔トレーの1つとが組み合わされて触媒室を画定している〕及び iV)上記触媒室内部に収容された粒状固体の形の強酸性の修飾されたイオン交換樹脂触媒と を含む装置の中で反応させることを特徴とし、そしてフェノールのアセトンとの縮合反応に必要な全てのフェノールを最上段のトレーの上方から反応器塔に装入し、そして全ての必要なアセトンのいくつかの部分を最上段のトレーの次のトレー及びより低い方のトレーのいくつか又は全部にそれぞれ装入し、そして不活性ガスの流れを上向きに触媒室を通過させて固体/液体懸濁液を形成させかつその反応混合物から水を追い出すことを特徴とする方法。
IPC (4)：
C07C 39/16
, B01J 31/08
, C07C 37/20
, C07C 37/84
C07C 39/16
, B01J 31/08 Z
, C07C 37/20
, C07C 37/84
Cited by examiner (1)
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多段懸垂反応ストリッピング方法および装置
Gazette classification：公表公報
Application number：特願平6-518522
Applicant：チャイナペトロ-ケミカルコーポレーション, テイアンジンユニヴァーシティ
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