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J-GLOBAL ID：200903002939666247

シリコン膜の形態学的変化法

Inventor： 奥村 勝弥 ,  岩沢 晴生 ,  松木 安生 ,  柄沢 武 ,  松下 賢一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社オクテック ,  JSR株式会社 ,  ウシオ電機株式会社
Agent (1)： 大島 正孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002294717
Publication number (International publication number)：2004134440
Application date： Oct. 08, 2002
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：

【課題】所望の分子形態学的状態にあるシリコン膜を低コストで、効率的且つ簡便に形成ないし製造する方法を提供すること。【解決手段】塗布法で形成されたシリコン膜に閃光を照射してシリコン膜に分子形態学的変化、すなわち分子レベルにおける形態学的変化、例えばアモルファス構造と結晶構造間の変化、結晶構造間の変化を生じさせる、シリコン膜の形態学的変化法。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

塗布法で形成されたシリコン膜に閃光を照射してシリコン膜に分子形態学的変化を生じさせることを特徴とするシリコン膜の形態学的変化法。

IPC (4)：

H01L21/208 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/20

FI (4)：

H01L21/208 Z ,  C30B29/06 501Z ,  C30B33/02 ,  H01L21/20

F-Term (37)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077CB08 ,  4G077FE16 ,  4G077FE19 ,  4G077HA06 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052AA25 ,  5F052AA27 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DB09 ,  5F052DB10 ,  5F052FA06 ,  5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB08 ,  5F053BB09 ,  5F053BB58 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053GG02 ,  5F053GG03 ,  5F053HH01 ,  5F053HH05 ,  5F053LL05 ,  5F053PP03 ,  5F053RR05 ,  5F053RR13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体薄膜の形成方法、半導体装置及び電気光学装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに半導体装置及び電気光学装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-368624   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-204533   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所