Pat
J-GLOBAL ID:200903099402940184
半導体薄膜の形成方法、半導体装置及び電気光学装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに半導体装置及び電気光学装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
逢坂 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001368624
Publication number (International publication number):2002252174
Application date: Dec. 03, 2001
Publication date: Sep. 06, 2002
Summary:
【要約】【課題】 高結晶化率で高品質の多結晶シリコン等の多結晶性又は単結晶性半導体薄膜を容易かつ低コストに、しかも大面積に形成可能な方法と、この方法を実施する装置を提供すること。【解決手段】 基体1上に高結晶化率、大粒径の多結晶性シリコン膜等の多結晶(又は単結晶)性半導体薄膜7を形成するに際し、或いは基体1上に多結晶(又は単結晶)性半導体薄膜7を有する半導体装置を製造するに際し、基体1上に低級結晶性半導体薄膜7Aを形成した後、この低級結晶性半導体薄膜7Aにフラッシュランプアニールを施して、溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により低級結晶性半導体薄膜7Aの結晶化を促進して多結晶(又は単結晶)性半導体薄膜7を得る、多結晶(又は単結晶)性半導体薄膜の形成方法、又は半導体装置の製造方法、及びこれらを実施するための装置。
Claim (excerpt):
基体上に多結晶性又は単結晶性半導体薄膜を形成するに際し、前記基体上に低級結晶性半導体薄膜を形成する第1工程と、前記低級結晶性半導体薄膜にフラッシュランプアニールを施して、溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により前記低級結晶性半導体薄膜の結晶化を促進する第2工程とを有する、半導体薄膜の形成方法。
IPC (6):
H01L 21/20
, G02F 1/1368
, H01L 21/26
, H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 31/04
FI (7):
H01L 21/20
, G02F 1/1368
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 618 B
, H01L 21/26 J
, H01L 21/26 T
, H01L 31/04 X
F-Term (125):
2H092JA24
, 2H092JA25
, 2H092JA29
, 2H092JA32
, 2H092JA33
, 2H092JA42
, 2H092JA47
, 2H092MA07
, 2H092MA13
, 2H092MA17
, 2H092MA27
, 2H092MA28
, 2H092MA35
, 2H092MA41
, 5F051AA03
, 5F051CA15
, 5F051CB25
, 5F051DA04
, 5F051FA02
, 5F051GA02
, 5F051GA03
, 5F052AA12
, 5F052AA18
, 5F052AA24
, 5F052AA25
, 5F052BA01
, 5F052BA02
, 5F052BA04
, 5F052BA07
, 5F052BA20
, 5F052CA04
, 5F052CA07
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052DA03
, 5F052DA05
, 5F052DA10
, 5F052DB01
, 5F052DB03
, 5F052DB07
, 5F052EA01
, 5F052EA06
, 5F052EA11
, 5F052EA12
, 5F052EA15
, 5F052EA16
, 5F052FA12
, 5F052FA14
, 5F052FA22
, 5F052GC06
, 5F052HA01
, 5F052HA06
, 5F052HA08
, 5F052JA01
, 5F052JA02
, 5F052JA04
, 5F052JA06
, 5F052JA07
, 5F052JA09
, 5F110AA01
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110BB10
, 5F110BB20
, 5F110CC02
, 5F110CC08
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE09
, 5F110EE30
, 5F110EE32
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF10
, 5F110FF23
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG04
, 5F110GG13
, 5F110GG25
, 5F110GG32
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG44
, 5F110GG45
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HL03
, 5F110HL05
, 5F110HL06
, 5F110HL07
, 5F110HL23
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN25
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN72
, 5F110PP02
, 5F110PP11
, 5F110PP31
, 5F110PP35
, 5F110PP36
, 5F110PP38
, 5F110QQ11
, 5F110QQ23
, 5F110QQ24
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
-
薄膜半導体素子の製造方法および製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-273051
Applicant:ソニー株式会社
-
特開昭62-035512
-
多結晶シリコン薄膜用基板および多結晶シリコン薄膜の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-017675
Applicant:シャープ株式会社
-
シリコン薄膜の結晶化方法および表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-250681
Applicant:松下電器産業株式会社
-
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-116756
Applicant:カシオ計算機株式会社
-
特開昭62-035512
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特開平2-114514
-
特開昭57-064936
-
電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-033869
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-329764
Applicant:富士通株式会社
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