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J-GLOBAL ID：200903002979830236

エピタキシャルウェハおよびその製造方法

Inventor： 三浦 祥紀 ,  藤田 慶一郎 ,  竹本 菊郎 ,  松島 政人 ,  関 壽 ,  纐纈 明伯
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994337797
Publication number (International publication number)：1996181070
Application date： Dec. 26, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 たとえば発光素子等に使用可能な高性能のエピタキシャルウェハ、およびそれを工業的に製造できる方法を提供する。【構成】 GaAs、GaP、InAsおよびInPからなる群から選ばれる化合物半導体基板1と、基板1上に形成された厚さが100Å〜800ÅのGaNからなるバッファ層2と、バッファ層2上に形成されたGaNを含むエピタキシャル層3とを備える。バッファ層2は、有機金属クロライド気相エピタキシ成長法により、第1の温度で形成され、エピタキシャル層3は、有機金属クロライド気相エピタキシ成長法により、第1の温度より高い第2の温度で形成される。

Claim (excerpt)：

GaAs、GaP、InAsおよびInPからなる群から選ばれる化合物半導体基板と、前記基板上に形成された、厚さが100Å〜800ÅのGaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、GaNを含むエピタキシャル層とを備える、エピタキシャルウェハ。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特表平6-508000
  
• 窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-320804   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-190467   Applicant：松下電器産業株式会社