MIS半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：酒井昭徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002298069
Publication number (International publication number)：2004047923
Application date： Oct. 10, 2002
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

【課題】パワーMOSFETに代表されるMIS半導体装置において、オン抵抗とスイッチング時間の関係を大幅に改善し、高速スイッチング性を維持しつつ、従来よりもさらにオン抵抗を低くすること。【解決手段】pベース領域12の、ゲート電極19を挟んでn+ソース領域14の反対側でゲート電極19に近接する位置に、pベース領域12の表面から第1のn+ドレイン領域15まで達するトレンチを形成する。そして、このトレンチの側壁に沿って、ドリフト領域を兼ねる第2のドレイン領域16を、ゲート電極19をマスクの一部に用いたn型不純物のイオン注入により、ゲート電極19に対して自己整合的に形成する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

半導体基板の第1の主面側に設けられた第1導電型の第1のドレイン領域と、半導体基板の第2の主面側に設けられた第2導電型のベース領域と、前記ベース領域の表面層に選択的に形成された第1導電型のソース領域と、前記ベース領域の、前記ソース領域に隣接した表面上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を挟んで前記ソース領域の反対側で前記ゲート電極に近接して設けられた、前記ベース領域の表面から前記第1のドレイン領域まで達するドリフト領域を兼ねる第2のドレイン領域と、を具備することを特徴とするMIS半導体装置。

IPC (1)：

H01L29/78

FI (4)：

H01L29/78 652G , H01L29/78 652F , H01L29/78 652H , H01L29/78 652N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-098735 Applicant：新電元工業株式会社
特開昭51-081580
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-117049 Applicant：株式会社東芝

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