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J-GLOBAL ID：200903031966103793

電界効果トランジスタ

Inventor： 大島 邦仁 ,  北田 瑞枝 ,  中村 秀幸
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000098735
Publication number (International publication number)：2001284585
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】高耐圧の縦形パワーMOSFETを提供する。【解決手段】本発明のパワーMOSFET1では、n型のドレイン層12上にp型の活性層13が形成されており、活性層13には、その表面から縦孔17が形成され、縦穴17の周辺に、p型不純物が拡散されて成る電流通路拡散層19が形成されている。活性層13内には、電流通路拡散層19から活性層13内へと横方向に広がる空乏層と、ドレイン層12から活性層13内へと縦方向に広がる空乏層とが生じ、横方向に広がる空乏層と縦方向に広がる空乏層とが繋がった状態になる。このように、二方向から空乏層が活性層13内に広がることにより、空乏層内の電界はほぼ一様に分布するので、従来に比して高い耐圧を得ることができる。

Claim (excerpt)：

第1の導電型のドレイン層と、前記ドレイン層上に配置され、前記第1の導電型とは反対の導電型である第2導電型の活性層と、前記活性層内の表面側に配置され、前記第1の導電型の拡散層で構成されたソース拡散層と、前記ソース拡散層と離間した位置に形成された縦穴と、前記縦穴の壁面の、少なくとも前記ソース拡散層と対向する面から前記第1の導電型の不純物が前記活性層内に拡散されて形成された電流通路拡散層と、前記縦穴内を充填する充填物と、前記活性層内の表面近傍であって、前記ソース拡散層と前記電流通路拡散層との間に位置し、前記ソース拡散層に接して配置された前記第2の導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域上に配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、前記ソース拡散層に接続されたソース電極と、前記ドレイン層に接続された裏面電極とを有する電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 655

FI (3)：

H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 655 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 縦型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-041301   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 半導体モジュール
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-519470   Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
• 電界効果により制御可能の半導体デバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-528039   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト