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J-GLOBAL ID：200903002989707653
薄膜形成装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994157645
Publication number (International publication number)：1996020865
Application date： Jul. 08, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：
【要約】【構成】 バッキングプレート11上のターゲット10をスパッタして、該ターゲット10の上方にて走行する可撓性支持体の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記バッキングプレート11表面のうちターゲット10が配設されていない範囲がカソードマスク15によりマスクされ、カソードマスク15の上面15aはターゲット10の表面10aより低くされる。なお、カソードマスク15のターゲット10と近接する端部は、上面が斜めに切り欠かれてもよい。【効果】 薄膜材料のカソード電極上への落下が起こりにくく、異常放電の発生が抑えられる。このため、本発明の薄膜形成装置を磁気テープにおける保護膜形成に適用すると、保護膜の膜厚および膜質を均一に保つことができ、耐摩耗性に優れた磁気テープを歩留まりよく製造できる。
Claim (excerpt)：
カソード電極上に配設されたターゲットをスパッタして、該ターゲットの上方に対向させた基体の表面に薄膜を形成させる薄膜形成装置において、前記カソード電極表面のうち前記ターゲットが配設されていない範囲がカソードマスクによりマスクされ、前記カソードマスクの上面は、前記ターゲット表面より低くされていることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (4)：
C23C 14/34
, C23C 14/56
, G11B 5/84
, G11B 5/85
Cited by examiner (5)
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