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J-GLOBAL ID：200903002999408441

荷電ビーム描画装置および描画方法

Inventor：
安瀬 博人

About 安瀬 博人


Applicant, Patent owner：
株式会社ニューフレアテクノロジー

About 株式会社ニューフレアテクノロジー


Agent (3)： 松山 允之 ,  河西 祐一 ,  池上 徹真
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006157544
Publication number (International publication number)：2007329187
Application date： Jun. 06, 2006
Publication date： Dec. 20, 2007
Summary：
【課題】 基板上の位置での描画時刻差に伴うパターン寸法の変動を補正する荷電ビーム描画装置および描画方法を提供する。【解決手段】 基板11上のレジストにパターンを描画する電子ビーム12を発生させ集束し偏向する描画光学系20、基板11を搭載し移動させるステージ15、電子ビーム12の描画およびステージ15の移動を制御する描画制御系30を有し、更に、制御計算部31に記録される描画時間情報に基づき、基板11面上の位置における描画後の経過時間を演算処理する時間マップ演算部41と、上記経過時間をパターン寸法変化量に変換するΔCDマップ演算部42と、上記パターン寸法変化量を加熱処理温度に換算する温度マップ演算部43と、上記加熱処理温度を基板面11上の位置に設定してレジストを加熱処理するレジスト加熱処理部44を備える【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上のレジストにパターンを描画する荷電ビームを発生させ該荷電ビームを集束し偏向する描画光学系と、前記基板を搭載し前記荷電ビームに対して基板を移動させるステージと、該ステージがその内部に配置される基板室と、前記荷電ビームの描画および前記ステージの移動を制御する描画制御系とを有する荷電ビーム描画装置において、 前記描画制御系に記録される描画時間情報に基づいて、前記基板面上の位置における前記描画後の経過時間を演算処理する経過時間演算手段と、 前記経過時間演算手段により求めた前記経過時間をパターン寸法変化量に変換する寸法変化量演算手段と、 前記寸法変化量演算手段により求めた前記パターン寸法変化量を加熱処理温度に換算する加熱温度演算手段と、 前記加熱処理温度を前記基板面上の位置に設定して前記レジストを加熱処理する基板加熱手段と、 を備えることを特徴とする荷電ビーム描画装置。
IPC (1)：
H01L 21/027
FI (1)：
H01L21/30 541Z
F-Term (4)：
5F056AA04 ,  5F056AA19 ,  5F056CC16 ,  5F056CD05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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