半導体装置およびその作製方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994212030
Publication number (International publication number)：1996055996
Application date： Aug. 11, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】劣化・経時変化の少ない薄膜トランジスタ(TFT)を得るためのゲイト絶縁膜を850°C以下の温度で作製する方法を提供する。【構成】 CVD法もしくはPVD法によって結晶性珪素の活性層上に堆積した酸化珪素膜を窒化水素雰囲気においてアニールすることによって酸化膜中、特に珪素と酸化珪素の界面の不対結合手および珪素-水素結合(Si-H) を、珪素-窒素結合 (Si≡N)等に置き換えることによって、該酸化珪素膜をホットエレクトロン等に耐えられるだけの丈夫なものとし、これをゲイト絶縁膜として用いる。

Claim (excerpt)：

結晶性の島状珪素領域を覆ってCVD法もしくはPVD法によって酸化珪素膜を堆積する第1の工程と、前記酸化珪素膜を600°C以上850°C以下の窒化水素雰囲気においてアニールする第2の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/316

FI (3)：

H01L 29/78 617 S , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 627 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ゲート絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-179994 Applicant：株式会社ジーテイシー

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