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J-GLOBAL ID:200903003124184309

バルク超伝導体の着磁方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人共生国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004106330
Publication number (International publication number):2005294471
Application date: Mar. 31, 2004
Publication date: Oct. 20, 2005
Summary:
【課題】エポキシなどの樹脂含浸と金属環嵌合の双方による所定の補強強度を確保した上で余分な発熱を抑え冷却効率を向上して酸化物超伝導バルクの温度を安定化する時間を短縮し着磁工程に必要な時間を短縮できるバルク超伝導体のパルス着磁方法又は磁場冷却着磁方法を提供する。【解決手段】環状、円板状又は円柱状の酸化物超伝導バルクの底面をコールド・ステージに接して載置し、前記バルクの外周側に設けた着磁コイルに電流を流しパルス磁場を発生させ、バルクを冷媒中で又は冷凍機によって得られる低温状態で前記底面に鉛直な方向に着磁するバルク超伝導体のパルス着磁方法においては、バルクの着磁に先立って、バルクの表面部分にある含浸用樹脂皮膜を取り除き、バルクの外側に、欠落部を有する第1の金属環を密着又は嵌合させ、さらに第1の金属環の外側に第2の金属環を密着又は嵌合させる、ことを特徴とする。【選択図】図2
Claim (excerpt):
環状、円板状または円柱状の酸化物超伝導バルクの底面が超伝導擬似単結晶の一面に一致するようにして、前記底面をコールド・ステージに接して載置し、所定の温度に冷却した後、前記酸化物超伝導バルクの外周側に設けた着磁コイルに電流を流してパルス磁場を発生させ、前記酸化物超伝導バルクを、冷媒中で或いは冷凍機によって得られる所定の低温状態で前記底面に鉛直な方向に着磁する、バルク超伝導体のパルス着磁方法において、 前記酸化物超伝導バルクの着磁に先立って、 前記酸化物超伝導バルクの表面部分にある含浸用樹脂皮膜を取り除き、 前記酸化物超伝導バルクの外側に、切れ目及び/又は切り欠きを有する第1の金属環を嵌合させ、 さらに、前記第1の金属環の外側に、第2の金属環を嵌合させる、 ことを特徴とするバルク超伝導体の着磁方法。
IPC (2):
H01F13/00 ,  H01F6/00
FI (2):
H01F13/00 A ,  H01F7/22 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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