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J-GLOBAL ID:200903026523877580

バルク超伝導体のパルス着磁方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人共生国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003112116
Publication number (International publication number):2004319797
Application date: Apr. 16, 2003
Publication date: Nov. 11, 2004
Summary:
【課題】酸化物超伝導バルクの温度を安定化する時間を短縮し、冷却効率を向上して、着磁工程に必要な時間を短縮できる、超伝導バルクの着磁方法を提供する。【解決手段】扁平な環状または板状の酸化物超伝導バルクを、その超伝導疑似単結晶の一面をコールド・ステージに接して載置すると共に、前記酸化物超伝導バルクの外周側に設けた着磁コイルに電流を流し、パルス磁場を発生させ、前記酸化物超伝導バルクを、冷媒中で或いは冷凍機によって得られる低温において、前記面に鉛直な方向に着磁するバルク超伝導体のパルス着磁方法において、前記酸化物超伝導バルクの着磁に先立って、酸化物超伝導バルクの表面部分の含浸用樹脂皮膜を取り除き、その周囲に金属環を嵌合させることを特徴とする。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
扁平な環状または板状の酸化物超伝導バルクを、その超伝導疑似単結晶の一面をコールド・ステージに接して載置すると共に、前記酸化物超伝導バルクの外周側に設けた着磁コイルに電流を流し、パルス磁場を発生させ、前記酸化物超伝導バルクを、冷媒中で或いは冷凍機によって得られる低温状態で前記面に鉛直な方向に着磁するバルク超伝導体のパルス着磁方法において、 前記酸化物超伝導バルクの着磁に先立って、酸化物超伝導バルクの表面部分にある含浸用樹脂皮膜を取り除き、酸化物超伝導バルクの周囲に金属環を嵌合させることを特徴とするバルク超伝導体のパルス着磁方法。
IPC (2):
H01F13/00 ,  C04B37/02
FI (2):
H01F13/00 A ,  C04B37/02 A
F-Term (10):
4G026BA01 ,  4G026BA02 ,  4G026BB22 ,  4G026BE01 ,  4G026BE02 ,  4G026BF04 ,  4G026BF05 ,  4G026BF09 ,  4G026BG09 ,  4G026BH06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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