発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：豊栖康弘 , 石井久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004010750
Publication number (International publication number)：2004158872
Application date： Jan. 19, 2004
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：

【課題】優れた発光性能を有し、歩留良く所望の形、サイズに切断することができる発光素子を提供する。【解決手段】基板上に、該基板に格子不整合するn型及びp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層された発光素子において、n型窒化ガリウム系化合物半導体層は、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部がエッチングされ、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の両側にn型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を有すると共に、基板の分離部が、n型窒化ガリウム系化合物半導体層から露出されている。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

基板上に、該基板に格子不整合するn型及びp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層された発光素子において、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層は、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の両側に、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部がエッチングされることにより形成された、n型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を有すると共に、前記基板の分離部が、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層から露出されていることを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01L33/00 , H01L21/301

FI (2)：

H01L33/00 C , H01L21/78 L

F-Term (7)：

5F041AA41 , 5F041AA43 , 5F041CA02 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA76

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

特開平03-108779号公報
特開平3-203388
特開昭64-017484

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Cited by examiner (10)

特開平3-203388
特開昭64-017484
特開昭62-063446

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