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J-GLOBAL ID：200903003221129061

高真空薄膜形成装置

Inventor： 阿川 義昭 ,  鈴木 康正 ,  茶谷原 昭義 ,  藤井 兼栄
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社 ,  茶谷原 昭義 ,  藤井 兼栄 ,  工業技術院長
Agent (2)： 石島 茂男 (外1名) ,  工業技術院大阪工業技術研究所長 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997230336
Publication number (International publication number)：1999061383
Application date： Aug. 12, 1997
Publication date： Mar. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】ダメージが加えられたり、不純物が混入することがなく、また、膜厚制御性がよい薄膜形成装置を提供する。【解決手段】薄膜形成装置5のカソード40に設けられた導電性の蒸着材料に対し、アノード30に正電圧を印加した状態で、蒸着材料42近傍に配置された電極部材42にパルス状の電圧を印加してトリガ放電を発生させ、蒸着材料43とアノード30との間にアーク放電を誘起させる。1回のトリガ放電で誘起されるアーク放電により、蒸着材料43の微小粒子が所定量放出されるように構成する。高真空雰囲気でトリガ放電を必要な回数だけ繰り返し発生させると、不純物やダメージのないごく薄い薄膜を膜厚精度良く形成できる。また、複数の蒸着源281〜285を基板4方向に向け、順次薄膜を形成すると、多層膜を得ることができるので、磁性薄膜の形成に適している。

Claim (excerpt)：

アノードとカソードを有し、前記カソードに設けられた導電性の蒸着材料に対して前記アノードに正電圧を印加した状態で、前記蒸着材料近傍に配置された電極部材と前記蒸着材料との間にパルス状の電圧を印加してトリガ放電を発生させると、前記蒸着材料と前記アノードとの間にアーク放電が誘起されるように構成された蒸着源を有し、前記アーク放電によって放出された前記蒸着材料の微小粒子を、真空槽内に配置された基板表面に付着させて薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記蒸着材料の微小粒子が、1回のトリガ放電で誘起されるアーク放電によって所定量放出されるように構成され、前記トリガ放電を繰り返し発生させ、前記薄膜を所望膜厚に形成できるように構成されたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2)：

C23C 14/24 ,  H01L 21/203

FI (2)：

C23C 14/24 F ,  H01L 21/203 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 薄膜形成装置および薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-347430   Applicant：工業技術院長
• 特開平2-048432
  
• 特開平2-048432