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J-GLOBAL ID：200903003237159505
スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999361955
Publication number (International publication number)：2001176030
Application date： Dec. 20, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：
【要約】【課題】 外部磁界の検出感度を高くするとともに、シャントロスの発生を抑えて磁気抵抗変化率を高くできるスピンバルブ型薄膜磁気素子を提供する。【解決手段】 反強磁性層21と、反強磁性層21に接し、反強磁性層21との交換結合磁界により磁化方向が固定された固定磁性層30と、固定磁性層30に接する非磁性導電層29と、非磁性導電層29に接するフリー磁性層50とを備え、フリー磁性層50が非磁性中間層29と非磁性中間層29を挟む第1、第2フリー磁性層51、52からなり、第1、第2フリー磁性層51、52が反強磁性的に結合してフェリ磁性状態とされ、第1、第2フリー磁性層51、52のいずれか一方が強磁性絶縁膜を含んでなることを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子1を採用する。
Claim (excerpt)：
反強磁性層と、該反強磁性層に接して形成されて前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定された固定磁性層と、該固定磁性層に接する非磁性導電層と、該非磁性導電層に接するフリー磁性層とを備え、前記フリー磁性層が非磁性中間層と該非磁性中間層を挟む第1、第2フリー磁性層からなり、前記第2フリー磁性層が前記非磁性導電層に接するとともに前記第1、第2フリー磁性層が反強磁性的に結合してフェリ磁性状態とされ、前記第1、第2フリー磁性層のいずれか一方が強磁性絶縁膜を含んでなることを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子。
F-Term (4)：
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034CA00
, 5D034DA07
