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J-GLOBAL ID：200903003242236046

半導体ウェーハーの研磨方法

Inventor： 鹿島 吉恭 ,  高木 宏行 ,  大沢 則和
Applicant, Patent owner： 日産化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994012869
Publication number (International publication number)：1995221059
Application date： Feb. 04, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 コロイダルシリカで半導体ウェーハーを鏡面状にまで研磨する方法において、研磨速度を著しく向上せしめる如き研磨剤及び方法を提供すること。【構成】 0.3〜0.8 の短径/長径と7〜1000 nm の長径を有する歪な形状を有するコロイダルシリカからなる研磨剤で半導体ウェーハーを研磨する方法。

Claim (excerpt)：

7〜1000 nm の長径と 0.3〜0.8 の短径/長径比を有するコロイダルシリカで研磨することを特徴とする半導体ウェーハーの研磨方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-214022
  
• 特開平4-373128
  
• 特開平1-317115
  
• シリコンウエーハの研磨用組成物及び研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-318185   Applicant：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 特開平4-065314