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J-GLOBAL ID：200903003263950768

半導体装置用放熱基板の製造方法

Inventor： 土井 良彦 ,  林 武彦 ,  有川 正 ,  市田 晃 ,  柴田 憲一郎
Applicant, Patent owner： 東京タングステン株式会社 ,  住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993053906
Publication number (International publication number)：1994268115
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 熱膨張率を広い範囲に制御することができ、均質で歪みの少ない半導体装置用放熱基板を製造する方法を提供する。【構成】 半導体素子を搭載または保持するための半導体装置用放熱基板の製造方法において、タングステンまたはモリブデンのいずれかの金属からなる基材2の両面に銅またはチタンのいずれかの金属からなる合せ材1を熱間一軸加工法によって接合する。

Claim (excerpt)：

半導体素子を搭載または保持するための半導体装置用放熱基板の製造方法であって、タングステンおよびモリブデンのいずれかの金属からなる第1の部材の互いに対向する一方と他方の主表面に、銅およびチタンのいずれかの金属からなる第2の部材を熱間一軸加工法によって接合する、半導体装置用放熱基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 23/373 ,  H05K 7/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体用基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-178112   Applicant：株式会社東芝, 東芝マテリアルエンジニアリング株式会社