半導体素子とその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：瀬谷徹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999240428
Publication number (International publication number)：2000077678
Application date： Aug. 26, 1999
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】低電圧特性を有すると同時に、集積度の面でも優れる半導体素子を提供する。【解決手段】支持手段のベース層、埋め込み酸化膜及び活性領域を提供する半導体層の積層構造からなるSOI基板の活性領域の上に形成された第1及び第2トランジスタを含む半導体素子において、前記第1及び第2トランジスタは一つの活性領域の上に積層構造で形成され、一つのゲート電極を共有し、前記第2トランジスタのドレイン領域は前記ゲート電極と電気的に連結し、前記第2トランジスタのソース領域は前記活性領域と電気的に連結する構成とする。

Claim (excerpt)：

支持手段のベース層、埋め込み酸化膜及び活性領域を提供する半導体層の積層構造からなるSOI基板の活性領域上に形成された第1及び第2トランジスタを含む半導体素子において、前記第1及び第2トランジスタは一つの活性領域の上に積層構造で形成され、一つのゲート電極を共有し、前記第2トランジスタのドレイン領域は前記ゲート電極と電気的に連結し、前記第2トランジスタのソース領域は前記活性領域と電気的に連結することを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 27/12

FI (2)：

H01L 29/78 613 Z , H01L 27/12 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-059810 Applicant：株式会社東芝
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-244134 Applicant：三洋電機株式会社

Cited by examiner (2)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-059810 Applicant：株式会社東芝
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-244134 Applicant：三洋電機株式会社

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