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J-GLOBAL ID：200903003320282793

単一電子素子およびその製造方法

Inventor： 森 貴洋 ,  石橋 幸治 ,  大村 一夫 ,  矢島 博文 ,  内田 勝美
Applicant, Patent owner： 独立行政法人理化学研究所 ,  学校法人東京理科大学
Agent (1)： 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007238243
Publication number (International publication number)：2009071056
Application date： Sep. 13, 2007
Publication date： Apr. 02, 2009
Summary：

【課題】高温での作動が見込める単一電子素子を提供する。【解決手段】基板上に設けられた、一対の電極と、該電極間に設けられたカーボンナノチューブとを含み、かつ、前記カーボンナノチューブは、セルロース誘導体で化学修飾されていることを特徴とする、単一電子素子。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた、一対の電極と、該電極間に設けられたカーボンナノチューブとを含み、かつ、前記カーボンナノチューブは、セルロース誘導体で化学修飾されていることを特徴とする、単一電子素子。

IPC (4)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00

FI (4)：

H01L29/66 S ,  H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• カーボンナノチューブを用いた配線、単一電子トランジスタおよびキャパシタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-428385   Applicant：三洋電機株式会社