カーボンナノチューブを用いた配線、単一電子トランジスタおよびキャパシタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森下賢樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003428385
Publication number (International publication number)：2004235618
Application date： Dec. 24, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

【課題】良好な性能を示し生産性に優れたナノデバイスを提供する。【解決手段】シリコン基板202上に、ソース電極204、ドレイン電極206およびゲート電極208を設け、ソース電極204とドレイン電極206にまたがるようにカーボンナノチューブ構造体131を固定する。カーボンナノチューブ構造体131は、カーボンナノチューブ105の表面に高分子119が巻回した構造とする。高分子119はトンネル層として機能し、カーボンナノチューブ105のうちのソース電極204とドレイン電極206の間に位置する部分がクーロンアイランドとして機能する。すなわち、ソース電極204から高分子119を介してカーボンナノチューブ105に電子が流入し、カーボンナノチューブ105から高分子119を介してドレイン電極206に電子が流出する。ゲート電極208に印加される電圧に応じてカーボンナノチューブ105内に存在する電子の数が制御され、ドレイン電流の大きさが制御される。【選択図】図12

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブおよびその側面を被覆する高分子からなる層を含むカーボンナノチューブ構造体が複数連結してなることを特徴とする配線。

IPC (6)：

H01L29/66 , B82B1/00 , C01B31/02 , H01G4/008 , H01L21/3205 , H01L29/06

FI (6)：

H01L29/66 S , B82B1/00 , C01B31/02 101F , H01L29/06 601N , H01L21/88 M , H01G1/01

F-Term (16)：

4G146AA11 , 4G146AA15 , 4G146AB06 , 4G146AD33 , 4G146BA04 , 4G146CB05 , 4G146CB23 , 4G146CB35 , 5E082AA20 , 5E082AB10 , 5E082BC40 , 5E082EE28 , 5E082FG34 , 5F033HH00 , 5F033RR21 , 5F033XX03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

単電子トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-252894 Applicant：シャープ株式会社
単一電子トンネル素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-158695 Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (7)

マイクロエレクトロニック構成要素およびDNAを含む電子的ネットワーク
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-503562 Applicant：テクニオンリサーチアンドディベロップメントファウンデーションリミテッド
ナノスケール導電性コネクタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-215599 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
ナノ構造デバイス及び装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-601693 Applicant：クラウソンジョセフイージュニア

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