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J-GLOBAL ID:200903003346980367
ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤村 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996257501
Publication number (International publication number):1998083062
Application date: Sep. 06, 1996
Publication date: Mar. 31, 1998
Summary:
【要約】【課題】 位相シフト効果を必要としない領域における漏れ光等の問題を高度に解決する。【解決手段】 ハーフトーン型の位相シフトマスクにおける位相シフト効果を必要としない領域に遮光膜を設ける。例えば、透光部2の周縁にリム状に形成された半透光部3における四隅のコーナー部分に、遮光層4を設ける。
Claim (excerpt):
微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とで構成し、かつ、この半透光部を透過した光の位相をシフトさせて、該半透光部を透過した光の位相と前記透光部を透過した光の位相とを異ならしめることにより、前記半透光部と透光部との境界部近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを向上させるハーフトーン型位相シフトマスクであって、前記透光部と半透光部との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与する部分を除く半透光部の上又は下に遮光層を設けたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、透光部の周縁にリム状に形成された半透光部における四隅のコーナー部分に、遮光層を設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
IPC (2):
FI (4):
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 G
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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マスクおよびパタン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-149835
Applicant:日本電信電話株式会社
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減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-000166
Applicant:三菱電機株式会社
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パターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-053290
Applicant:日本電気株式会社
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位相シフト露光マスクの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-351872
Applicant:ソニー株式会社
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Cited by examiner (4)