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J-GLOBAL ID：200903035039765660

位相シフト露光マスクの製造方法

Inventor：
清水 秀夫

About 清水 秀夫


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995351872
Publication number (International publication number)：1997179289
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 2次ピークなどに基づく不必要な解像を防止できるとともに、描画工程等の製造工程が簡明で生産性が良好である位相シフト露光マスクの製造方法を提供する。【解決手段】 光透過部4と、該光透過部に隣接し該光透過部より露光光の透過率が低い半透過部3と、遮光部4とを備え、該光透過部と半透過部とは互いに位相を異ならしめて露光光を透過させる位相シフト露光マスクの製造の際、上記遮光部の全てのエッジが最も近接する光透過部と等距離Dになる構成で上記遮光部を形成(例えばサイドエッチングにより、又は斜め回転露光により形成)する。
Claim (excerpt)：
光透過部と、該光透過部に隣接し該光透過部より露光光の透過率が低い半透過部と、遮光部とを備え、該光透過部と半透過部とは互いに位相を異ならしめて露光光を透過させる位相シフト露光マスクの製造方法において、上記遮光部の全てのエッジが最も近接する光透過部と等距離になる構成で上記遮光部を形成することを特徴とする位相シフト露光マスクの製造方法。
IPC (2)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (7)
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