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J-GLOBAL ID：200903003409287381

不揮発性記憶装置

Inventor： 大石 司 ,  谷崎 弘晃
Applicant, Patent owner： 株式会社ルネサステクノロジ
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005116571
Publication number (International publication number)：2006294178
Application date： Apr. 14, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：

【課題】 読出回路の回路構成をより簡易にするとともに、高速なデータ読出を実行することが可能な不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】 データ読出回路RDCにおいて、初期データ読出動作により流れる通過電流に基づいて生成される10%小さいリファレンス電流を生成する電流生成部191と、電流生成部191により生成したリファレンス電流と、所定のデータをメモリセルに書込んだ場合の通過電流とを比較する比較部192とを設ける。比較部192の比較結果に基づいて読出データを確定することが可能であるためレジスタ等の記憶領域を設けてデータを一時的に格納する必要はなく、データ読出回路RDCの回路構成を簡易に構成することができるとともに、格納領域がないため高速なデータ読出を実行することができる。【選択図】 図8

Claim (excerpt)：

各々において、データ読出時に記憶データに応じた通過電流が流れる複数のメモリセルと、 前記データ読出時に、前記複数のメモリセルのうちのデータ読出対象に選択された選択メモリセルを介して前記記憶データに応じて流れる通過電流を検出して、前記通過電流の比率を変化させた基準電流を生成する電流生成回路と、 前記電流生成回路により生成した前記基準電流と、前記データ読出時に前記選択メモリセルにおいて前記記憶データに応じて変化する通過電流との比較に基づいて前記選択メモリセルの読出データを生成するデータ読出回路とを備えた、不揮発性記憶装置。

IPC (4)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824

FI (4)：

G11C11/15 150 ,  G11C11/15 140 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

F-Term (7)：

5F083FZ10 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体記憶装置の読み出し回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-056810   Applicant：日本電気株式会社