半導体記憶装置の読み出し回路

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002056810
Publication number (International publication number)：2003257173
Application date： Mar. 04, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】小面積で低消費電力であり、高速の読み出しが可能で、且つ、自己リファレンス方式のMRAMの読み出し回路を提供する。【解決手段】第1の読み出しで、選択セル13から入力される電流が、プリアンプ3とVCO4とによって、その電流値に反比例する周波数のパルスに変換され、一定時間内のパルス数が、カウンタ5によってカウントされ、読み出し値レジスタ6に記憶される。次に、選択セルが2つの記憶状態のいずれかに書き込まれ、第2の読み出しが行われる。第2の読み出しにおけるカウンタのカウント値と、読み出し値レジスタに記憶されている第1の読み出し時のカウント値と、基準値レジスタ7に記憶されている基準値とを比較することによって、選択セルの記憶状態が判別される。VCOを用い、従来必要であった電流の積分キャパシタや基準パルス生成手段を不必要としており、小面積で低消費電力であり、高速の読み出しが可能である。

Claim (excerpt)：

相対的に抵抗値の小さい第1の記憶状態と、相対的に抵抗値の大きい第2の記憶状態との2つの記憶状態を有するメモリセルよりメモリセルアレイが構成される半導体記憶装置の読み出し回路であって、前記メモリセルのうち選択された選択セルから入力される電流を検出して電圧に増幅変換するプリアンプと、前記プリアンプの出力電圧に比例した周波数で発振する電圧制御発振器と、前記電圧制御発振器から出力されるパルス数を数えるカウンタと、前記カウンタの出力値を記憶するカウント値記憶手段と、前記カウンタと前記カウント値記憶手段との出力値が入力される、前記選択セルの記憶状態の判定を行う判定手段と、を有していることを特徴とする半導体記憶装置の読み出し回路。

IPC (4)：

G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 Z , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (2)：

5F083FZ10 , 5F083LA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

磁気ランダムアクセスメモリ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-142361 Applicant：日本電気株式会社
チョッパコンパレータ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-025253 Applicant：株式会社リコー

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