Pat
J-GLOBAL ID:200903003411220014
半導体装置の研磨方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996306160
Publication number (International publication number):1998150010
Application date: Nov. 18, 1996
Publication date: Jun. 02, 1998
Summary:
【要約】【課題】LSIウエハのCMPにおいて、安定な高研磨能率を持つ研磨方法の提供および、研磨液、研磨パッド等の消耗部材の使用量が低減できる手段を提供する。【解決手段】研磨パッド上の研磨砥粒に電界を作用させ、研磨パッド表面近傍の研磨液溶媒の拡散層内に研磨砥粒を吸引し、拡散層にて砥粒を保持するようにした。研磨パッドに平坦性と剛性のある非発泡体の樹脂板を用いた。
Claim (excerpt):
微細回路パターンを形成した半導体基板の表面を加圧ヘッドを介して研磨定盤に貼付された研磨パッドに押し付け、研磨液中の研磨砥粒に電界を作用させ、前記半導体基板と前記研磨パッド間に前記研磨砥粒を送り込み、前記半導体基板の表面を平坦に研磨する半導体装置の研磨方法。
IPC (3):
H01L 21/304 321
, B23H 5/00
, B24B 1/00
FI (3):
H01L 21/304 321 M
, B23H 5/00 F
, B24B 1/00 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-006879
Applicant:ソニー株式会社
-
特開平3-097226
-
研磨方法および研磨装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-019584
Applicant:ソニー株式会社
-
研磨装置およびそれを用いた研磨方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-219211
Applicant:株式会社日立製作所
-
研削装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-004311
Applicant:株式会社アイ・エヌ・アール研究所
-
特開平4-135167
Show all
Return to Previous Page