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J-GLOBAL ID：200903003428236399
ドライエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994003436
Publication number (International publication number)：1995211696
Application date： Jan. 18, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 シリコン系材料膜の加工断面形状をテーパ化させるドライエッチング方法において、テーパ角の基板面内均一性を向上させる。【構成】 有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置の石英ベルジャー4内でHBr/O2 混合ガスを用い、基板10上のポリシリコン層をSiOx 系のエッチング反応生成物を堆積させながらエッチングする。この時、ソレノイド・コイル5の電流制御によりECR面16の位置を最適化し、石英ベルジャー4の内壁面からスパッタ放出されるSiOx 系のスパッタ堆積物を、基板10の周辺部に重点的に堆積させる。【効果】 基板10の周辺部において堆積量の少ないエッチング反応生成物と、逆に多いスパッタ堆積物の堆積量が互いに相殺され、基板面内で総堆積物量が均一となるので、テーパ角が均一化となる。この結果、デバイス特性も均一となる。
Claim (excerpt)：
ドライエッチング装置のエッチング・チャンバ内で少なくともフッ素系化学種以外のハロゲン系化学種と酸素系化学種とを含むプラズマを用い、基板上のシリコン系材料膜の被エッチング領域に酸化シリコン系のエッチング反応生成物の一部を堆積させながら該シリコン系材料膜のエッチングを行うドライエッチング方法において、前記エッチングは、前記基板の周辺部に配設されるチャンバ内部構成部材の表面と前記プラズマとの接触により生成するスパッタ生成物に由来する堆積性物質を、前記エッチング反応生成物と共に前記被エッチング領域に堆積させながら行うことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065
, H01L 21/31
, H01L 21/68
, H05H 1/46
H01L 21/302 L
, H01L 21/302 F
, H01L 21/31 D
