半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮園博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007201225
Publication number (International publication number)：2008085307
Application date： Aug. 01, 2007
Publication date： Apr. 10, 2008
Summary：

【課題】高耐圧でありながらオン抵抗が低く、ターンオフ時間が短く、安定動作が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置1は、ソース、ドレインおよびゲート電極をそれぞれ含むとともに、互いにドレイン領域が接続されるとともに、互いにゲート電極同士が接続されたNMOSFET11およびPMOSFET12を含むインバータ14と、コレクタ(C)、ベース(B)およびエミッタ(E)を含むとともに、インバータ14の出力がベース(B)に入力されるpnp型のバイポーラトランジスタ13とを備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ソース、ドレインおよびゲート電極を、それぞれ含むとともに、互いに前記ドレイン同士が接続されるとともに互いに前記ゲート電極同士が接続された第1導電型の第1電界効果型トランジスタおよび第2導電型の第2電界効果型トランジスタを含むインバータと、コレクタ、ベースおよびエミッタを含むとともに、前記インバータの出力が前記ベースに入力されるバイポーラトランジスタとを備えた、半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/824 , H01L 27/06 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/417

FI (4)：

H01L27/06 321A , H01L29/58 G , H01L29/50 M , H01L29/50 B

F-Term (49)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD56 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104GG06 , 4M104GG10 , 4M104GG18 , 5F048AA01 , 5F048AB04 , 5F048AC07 , 5F048BA01 , 5F048BA02 , 5F048BA07 , 5F048BA12 , 5F048BB01 , 5F048BB04 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE04 , 5F048BF06 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BF19 , 5F048BG13 , 5F048BH05 , 5F048CA01 , 5F048CA02 , 5F048CA04 , 5F048CA05 , 5F048CA07 , 5F048CA13 , 5F048DA06 , 5F048DA08 , 5F048DA14 , 5F048DA15 , 5F048DA23 , 5F048DA25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-166567 Applicant：富士電機株式会社
特開平4-207068
BiCMOSデバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-333222 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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Cited by examiner (4)

特開平4-207068
BiCMOSデバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-333222 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
特開平4-180260

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