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J-GLOBAL ID：200903037506670175

半導体装置

Inventor： 岩室 憲幸 ,  重兼 寿夫 ,  原田 祐一 ,  岩穴 忠義
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998166567
Publication number (International publication number)：1999354657
Application date： Jun. 15, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】ターンオフ時間を短縮し、高速スイッチングに適する半導体装置とする。【解決手段】?@ターンオフ時に、第一のユニポーラトランジスタをオフし、第二のユニポーラトランジスタをオンし、バイポーラトランジスタからの過剰キャリアの排出を速める。?Aバイポーラトランジスタがダーリントン接続である場合は、ダーリントン接続した各バイポーラトランジスタのベースと、最終段バイポーラトランジスタのエミッタ間に、それぞれ第二のユニポーラトランジスタを接続する。?Bダーリントン接続したバイポーラトランジスタの後段ほど、また後段のバイポーラトランジスタに対応するユニポーラトランジスタほど、面積を大きくする。?Cバイポーラトランジスタのベース拡散深さを第一ユニポーラトランジスタのpウェル領域、第二ユニポーラトランジスタのp+ ドレイン領域よりも深くする。

Claim (excerpt)：

前段に第一のユニポーラトランジスタを、後段にバイポーラトランジスタを有し、第一のユニポーラトランジスタのドレインとソースとをそれぞれバイポーラトランジスタのコレクタ、ベースに接続し、かつ、第二のユニポーラトランジスタのドレインとソースとをそれぞれバイポーラトランジスタのエミッタ、ベースに接続することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 27/06 321 H ,  H01L 27/06 101 U ,  H01L 29/78 656 A ,  H01L 29/78 657 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-340398   Applicant：株式会社豊田自動織機製作所
• 特開昭57-183067