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J-GLOBAL ID：200903003477264101

プラズマ処理装置

Inventor：
長阪 道雄

About 長阪 道雄

, 
鬼丸 毅

About 鬼丸 毅


Applicant, Patent owner：
株式会社プラズマシステム

About 株式会社プラズマシステム


Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994114754
Publication number (International publication number)：1995302694
Application date： Apr. 28, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 基板表面のプラズマ処理プロセスにおいてイオン性処理反応とラジカル性処理反応の選択を可能とする簡便かつ安価なプラズマ処理装置を提供する。【構成】 誘電体からなる半球状の反応室20の外周に沿い上部から下部に向かって巻線状に設置したヘリカルアンテナコイル25により生成したプラズマを反応室20内の下方に保持した基板Wに作用させるプラズマ処理装置19において、ヘリカルアンテナコイル25を上部コイル26と下部コイル27に二分割するとともに、切替スイッチ29により下部コイル27のタッピング位置を切り替えることで、下部コイル27のインダクタンスを調節してイオン性処理反応とラジカル性処理反応を選択するようになっている。
Claim (excerpt)：
誘電体からなる半球状の反応室の外周に沿い上部から下部に向かって巻線状に設置したヘリカルアンテナコイルにより前記反応室内に発生させたプラズマおよびその活性種を、前記反応室内の下方に保持した基板に対して作用させるプラズマ処理装置において、前記ヘリカルアンテナコイルが上部コイルと下部コイルに二分割されているとともに、該下部コイルのインダクタンスおよび該下部コイルの作用範囲を任意に調節するための調節手段が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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