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J-GLOBAL ID：200903003498402288

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 原田 裕次 ,  畠山 潤 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  前田 一彦 ,  大谷 充孝 ,  小森谷 治彦
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (3)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002233194
Publication number (International publication number)：2004067975
Application date： Aug. 09, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【解決手段】式(1-1)又は(1-2)で表される繰り返し単位を含む重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(R1〜R3はH、F又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基。R4は単結合又はアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。R5は単結合又はアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。R6は単結合又はアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。R7はH又は酸不安定基。R8はフッ素化されたアルキル基。aは1又は2、bは0〜4の整数、cは0〜4の整数、1≦a+b+c≦4。)【効果】本発明のレジスト材料は、レジストの透明性、密着性、現像液浸透性が向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有するレジスト材料となり得るもので、パターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1-1)又は(1-2)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。

IPC (6)：

C08F28/02 ,  C08F212/14 ,  C08F220/12 ,  C08F232/00 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (6)：

C08F28/02 ,  C08F212/14 ,  C08F220/12 ,  C08F232/00 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (39)：

2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07S ,  4J100AL08T ,  4J100AP01P ,  4J100AP01Q ,  4J100AR11R ,  4J100AR21R ,  4J100BA04Q ,  4J100BA07S ,  4J100BA08S ,  4J100BA55P ,  4J100BB07P ,  4J100BB07Q ,  4J100BB07S ,  4J100BB07T ,  4J100BB10R ,  4J100BB17P ,  4J100BB17Q ,  4J100BB17R ,  4J100BB17T ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC55Q ,  4J100CA03 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-240600   Applicant：富士写真フイルム株式会社

Cited by examiner (1)

• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-240600   Applicant：富士写真フイルム株式会社