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J-GLOBAL ID：200903003516464407

半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置配線シード層

Inventor： 野中 荘平
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (2)： 富田 和夫 ,  鴨井 久太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003201572
Publication number (International publication number)：2004193551
Application date： Jul. 25, 2003
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：

【課題】LSIなどの半導体装置における配線となる薄膜をメッキにより形成する際の下地層となるシード層形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成したシード層に関するものである。【解決手段】Cr:0.03〜0.3質量%、Zr:0.005〜0.1質量%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなる。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

Cr:0.03〜0.3質量%、Zr:0.005〜0.1質量%を含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなることを特徴とする半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲット。

IPC (5)：

H01L21/285 ,  C22C9/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

FI (5)：

H01L21/285 S ,  C22C9/00 ,  C23C14/34 A ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 M

F-Term (35)：

4K029AA06 ,  4K029BA08 ,  4K029BA21 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4M104BB04 ,  4M104BB17 ,  4M104BB32 ,  4M104BB38 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH01 ,  4M104HH02 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033LL09 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033WW04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 金属シ-ド層を挿入する構造の銅の相互接続
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-117513   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション