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J-GLOBAL ID：200903055939059053

金属シ-ド層を挿入する構造の銅の相互接続

Inventor： ダニエル・チャールス・エドラステン ,  ジェームズ・マッケルエドウィン・ハーパー ,  チャオクン・ク ,  アンドリュー・エイチ・シモン ,  コプレイン・エメカ・ウゾー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999117513
Publication number (International publication number)：1999340229
Application date： Apr. 26, 1999
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】改善されたエレクトロマイグレーション抵抗力、接着特性、及び他の表面特性を有する銅合金の相互接続構造を与えることである。【解決手段】銅導電体本体56、60と、銅導電体本体と電子デバイス間に挟まれた銅合金又は金属のシード層76とを利用することにより、電子デバイスとの電気通信を確立するための新規な相互接続構造を提供する。エレクトロマイグレーション抵抗力、バリアー層に対する接着性、デバイスの表面特性または付着プロセスを改善のために、それぞれの目的に応じて、種々の組成の銅合金シード層または特定の金属のシード層を使用することができる。

Claim (excerpt)：

1電子デバイスに電気的接続を与える相互接続構造であって、銅により実質的に形成された本体と、前記本体と前記電子デバイスとの間に挟まれ、それらと密接に接触して、前記相互接続構造のエレクトロマイグレーション抵抗力を改善する銅合金シード層とを含み、ことを特徴とする相互接続構造。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• チップ及びパッケージの相互接続用銅合金ならびにその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-164895   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 集積回路、その製造方法およびその薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-237815   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路装置、その製造方法およびその製造に用いるスパツタターゲツト
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-201715   Applicant：株式会社日立製作所
• 2層構造の銅拡散防止膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-339315   Applicant：エルジーセミコンカンパニーリミテッド
• 半導体素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-103283   Applicant：沖電気工業株式会社
• メタライゼーション構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-164090   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-027417   Applicant：株式会社日立製作所