半導体ウエーハの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (1)：高橋昌久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998192555
Publication number (International publication number)：2000031099
Application date： Jul. 08, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】少なくとも一回の両面同時平面研削の後に面取工程を行なうことにより、面取り部の精度向上をはかった半導体ウエーハの製造方法を提供すること。【解決手段】単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハを得るスライス工程と、ウエーハの表面を平坦化する平面研削工程と、ウエーハの外周エッジ部を面取りする面取工程と、ウエーハの表面を鏡面化する研磨工程とを含む半導体ウエーハの製造方法において、前記面取工程の前にウエーハうねりを除去するため、両面研削盤によりウエーハの両面を同時に研削する両面同時平面研削工程が存在し、前記面取工程を行なった後に片面又は両面同時研削による二次研削工程を行なうことにより、面取部精度を向上させる。

Claim (excerpt)：

単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハを得るスライス工程と、ウエーハの表面を平坦化する平面研削工程と、ウエーハの外周エッジ部を面取りする面取工程と、ウエーハの表面を鏡面化する研磨工程とを含む半導体ウエーハの製造方法において、前記面取工程の前に、両面研削盤によりウエーハの両面を同時に研削する両面同時平面研削工程が存在し、その後に前記面取工程を行なった後にカップ型砥石によるインフィード方式の片面研削により二次研削工程を行なうことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 , H01L 21/304 601 , H01L 21/304 631

FI (4)：

H01L 21/304 621 A , H01L 21/304 621 C , H01L 21/304 601 B , H01L 21/304 631

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体ウェハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-112915 Applicant：コマツ電子金属株式会社
半導体ウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-008169 Applicant：信越半導体株式会社

Cited by examiner (2)

半導体ウェハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-112915 Applicant：コマツ電子金属株式会社
半導体ウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-008169 Applicant：信越半導体株式会社

Return to Previous Page