半導体ウェハの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：衞藤彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996112915
Publication number (International publication number)：1997270397
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【目的】平面研削されたウェハの研磨時間を短くして、半導体ウェハを効率よく製造することができる半導体ウェハの製造方法を提供する。【解決手段】インゴットをスライスしてウェハを得る。スライスされたウェハの両切断面を平面研削する。平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッチングする。アルカリエッチングされたウェハの周縁部を面取りする。面取りされたウェハを両面研磨して鏡面加工する。両面研磨されたウェハを洗浄し、その表面(ひょう面)に付着したパーティクル等を除去する。洗浄されたウェハを乾燥し、半導体ウェハを得る。

Claim (excerpt)：

次の工程からなることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。(1)インゴットをスライスしてウェハを得るインゴット切断工程。(2)スライスされたウェハの表面(おもて面)または表裏両面を平面研削する平面研削工程。(3)平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッチングするアルカリエッチング工程。(4)アルカリエッチングされたウェハの周縁部を面取りする面取り工程。(5)面取りされたウェハの表面(おもて面)または表裏両面を研磨する研磨工程。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , H01L 21/304 301 , H01L 21/306

FI (4)：

H01L 21/304 321 B , H01L 21/304 321 A , H01L 21/304 301 B , H01L 21/306 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平4-330726
特開平4-226031
半導体ウエーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-137763 Applicant：信越半導体株式会社

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