半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：大場充 , 杉浦秀幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004377734
Publication number (International publication number)：2006186091
Application date： Dec. 27, 2004
Publication date： Jul. 13, 2006
Summary：

【課題】多層半導体デバイス等の半導体装置及びその製造方法において、製造コストの増大等を抑制すると共に高い接合性及び良好な封止状態を得ること。【解決手段】第1のデバイス部1を有し第1のバンプ電極6が表面に形成された第1の基板2と、第2のデバイス部3を有し第2のバンプ電極10が表面に形成されていると共に第1のバンプ電極6と第2のバンプ電極10とを接合させた状態で第1の基板2上に積層された第2の基板4と、接合状態の第1のバンプ電極6と第2のバンプ電極10とを包囲した状態で第1の基板2と第2の基板4との間に介在してこれらを接合し、内部の空間を気密状態に封止する第1の封止接合材8及び第2の封止接合材12と、を備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1のデバイス部を有し前記第1のデバイス部の電極が表面に形成された第1の基板と、第2のデバイス部を有し前記第2のデバイス部の電極が表面に形成されていると共に前記第1のデバイス部の電極と前記第2のデバイス部の電極とを接合させた状態で前記第1の基板上に積層された第2の基板と、接合状態の前記第1のデバイス部の電極と前記第2のデバイス部の電極とを包囲した状態で前記第1の基板と前記第2の基板との間に介在してこれらを接合し、内部の空間を気密状態に封止する封止接合材と、を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 25/18 , H01L 25/07 , H01L 25/065 , H05K 1/14 , H05K 3/36

FI (3)：

H01L25/08 Z , H05K1/14 A , H05K3/36 A

F-Term (14)：

5E344AA01 , 5E344AA12 , 5E344AA22 , 5E344BB02 , 5E344BB06 , 5E344CD01 , 5E344CD12 , 5E344CD34 , 5E344CD38 , 5E344DD08 , 5E344DD16 , 5E344EE13 , 5E344EE21 , 5E344EE30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

3次元半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-063476 Applicant：科学技術振興事業団, 小柳光正, 栗野浩之

Cited by examiner (2)

フリップチップボンディング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-093021 Applicant：富士通株式会社
特開昭59-088864

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