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J-GLOBAL ID：200903003596977337

電圧供給回路および内部降圧回路

Inventor： 築出 正樹 ,  林越 正紀
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993157565
Publication number (International publication number)：1994259150
Application date： Jun. 28, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 動作温度に関係なく一定の内部電圧を供給することができる内部降圧回路を提供する。【構成】 内部降圧回路1のレベルシフタ回路50は、抵抗成分R1を構成するPチャネルMOSトランジスタ501および抵抗成分R2を構成する抵抗502を含む。レベルシフタ回路50の出力電圧が負の温度特性を有するように、抵抗成分R1の温度係数が抵抗成分R2の温度係数よりも大きく設定される。高温動作時に基準電圧発生回路10により発生される基準電圧VrefPが下がると、レベルシフタ回路50の出力電圧も低下する。それにより、動作温度の変化による内部電圧VintPの変化が補償される。

Claim (excerpt)：

外部電源電圧により駆動され、内部出力電圧を供給する電圧供給回路であって、前記外部電源電圧により駆動され、基準電圧を発生する基準電圧発生手段と、前記外部電源電圧を受け、前記内部出力電圧を供給するためのドライバ手段と、第1および第2の抵抗手段を含み、前記ドライバ手段により供給される内部出力電圧を前記第1および第2の抵抗手段により抵抗分割して所定の出力電圧を供給する分圧手段と、前記分圧手段により供給される前記分割された出力電圧を前記基準電圧発生手段により発生される前記基準電圧と比較し、前記出力電圧と前記基準電圧との差に基づいて前記ドライバ手段を制御する比較手段とを備え、前記分圧手段の前記第1および第2の抵抗手段は、動作温度の変化による前記内部出力電圧の変化を補償するように、異なる温度係数の抵抗値を有する、電圧供給回路。

IPC (2)：

G05F 1/56 320 ,  H03K 5/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体集積回路のための内部降圧回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-242359   Applicant：松下電器産業株式会社