半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001072414
Publication number (International publication number)：2002270736
Application date： Mar. 14, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】優れた経済性を確保したうえで、パワー半導体素子に生じる熱量を十分放散することができる、小型で大容量の半導体装置を提供する。【解決手段】底面電極と上面電極を有する半導体素子21と、半導体素子の底面側に位置する金属ブロック26と、底面電極と金属ブロックとの間に接して配置された導電性を有する素子固着層23と、底面電極と導通する底面電極側リード30と、上面電極と導通する上面電極側リード29と、封止樹脂24とを備える。

Claim (excerpt)：

底面および上面のそれぞれに電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の底面側に位置する金属ブロックと、前記半導体素子の底面電極と前記金属ブロックとの間に接して配置された、導電性を有する素子固着層と、前記半導体素子の底面電極と導通する底面電極側リードと、前記半導体素子の上面電極と導通する上面電極側リードと、前記金属ブロックと、前記半導体素子とを覆い、さらに前記底面電極側リードおよび前記上面電極側リードを突き出させて封止する封止樹脂とを備える、半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/29 , H01L 23/48 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3)：

H01L 23/48 G , H01L 23/36 A , H01L 25/04 C

F-Term (3)：

5F036AA01 , 5F036BC05 , 5F036BE01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-270336
リードフレーム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-304528 Applicant：日立電線株式会社
半導体装置およびその製造方法およびその半導体装置に用いるリードフレーム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-165688 Applicant：松下電子工業株式会社

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