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J-GLOBAL ID：200903003599978989

ショットキー障壁整流器およびその製造方法

Inventor： バリガ,バントヴァル・ジェヤン
Applicant, Patent owner： ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
Agent (1)： 奥山 尚男 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997540963
Publication number (International publication number)：2000512075
Application date： May. 09, 1997
Publication date： Sep. 12, 2000
Summary：

【要約】本発明が提供するショットキー整流器(10)は、半導体基板表面においてMOSに満たされたトレンチおよび陽極と、その半導体基板内に最適かつ不均一にドープされたドリフト領域(12d)とを備え、それらの組み合わせで低逆バイアス洩れ電流および低順電圧で高い阻止電圧可能出力を実現する。不均一にドープされたドリフト領域(12d)は、陽極(18)とドリフト領域(12d)に形成されるショットキー整流接合から離れる方向に沿って単調増加する、第1の導電型ドーパントの濃度を有する。ドリフト領域のドーパント濃度分布はなるべくなら、ショットキー整流接合において約5×1016cm-3よりも小さな濃度(たとえば1×1016cm-3)を有し、かつドリフト領域(12d)と陰極領域(12c)との間の接合においてその約10倍もの濃度(たとえば3×1017cm-3)を有する、線形または階段傾斜分布である。MOSに満たされたトレンチの絶縁領域(16)(たとえば、SiO2)も厚さが1000Åよりも大きく、それによって同時に電界集中を抑制するとともにデバイスの降伏電圧を増大させる。不均一にドープされたドリフト領域(12d)はなるべく陰極領域(12c)からのエピタキシャル成長によって形成され、本来の場所でドープされる。

Claim (excerpt)：

対向する第1および第2の表面を有する半導体基板と、 前記第1の表面に隣接する、前記半導体基板内における第1の導電型の陰極領域と、 前記陰極領域と前記第2の表面との間に拡がるとともに、その中の第1の導電型のドーパントの前記第2の表面から前記陰極領域にかけての方向に単調増加する濃度を有する、前記半導体基板内における第1の導電型のドリフト領域と、 前記陰極領域に接触する陰電極と、 前記ドリフト領域に隣接して拡がる底および側壁を有する、前記第2の表面において前記半導体基板内にあるトレンチと、 前記側壁上の絶縁領域と、 前記第2の表面において前記ドリフト領域とショットキー整流接合を形成する、前記第2の表面上かつ前記絶縁領域上にある陽電極とを備えたことを特徴とするショットキー整流器。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 整流素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-051777   Applicant：日本電信電話株式会社